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半導(dǎo)體晶體生長系列
· 氮化鎵晶體生長室（高溫高壓鈉流法）
用途：
主要用于在一定的真空或惰性氣氛條件下，利用電阻發(fā)熱以一定的升溫速率將爐內(nèi)工件加熱到一定溫度，使C/C復(fù)合材料預(yù)浸物炭化。
主要用于在真空或惰性氣體介質(zhì)條件下，對預(yù)制體的高溫預(yù)處理及C/C復(fù)合材料的高溫?zé)崽幚怼?/p>
設(shè)備溫區(qū)大小可根據(jù)客戶實(shí)際需求定制。
地址：沈陽市大東區(qū)萬柳塘路2號
傳真：024-24809927
Email：yb@sy-vac.com
網(wǎng)址：www.hgstea.com
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